改良性，內(nèi)置雙端口。
電源規(guī)格：AC00-240V。
輸入點(diǎn)數(shù)：36點(diǎn)。
輸出點(diǎn)數(shù)：24點(diǎn)。
輸出型：繼電器。
程序容量：8K步。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量：8K字。
使下一個(gè)輸入的接點(diǎn)、線圈、操作數(shù)的地址遞增并作為默認(rèn)值顯示，
因而可輕松輸入連續(xù)地址CP-XA40DT-D怎么安裝。
自動(dòng)插入連接線的功能可在光標(biāo)位置自動(dòng)生成所需的連接線CP-XA40DT-D
即使光標(biāo)位于其它指令上，增加指令時(shí)也會(huì)自動(dòng)空出該指令的空位。
只需市售的U電纜即可實(shí)現(xiàn)連接。
CPE上備有外設(shè)(U)端口。
使用市售的U電纜即可連接計(jì)算機(jī)，
而無需U轉(zhuǎn)換電纜或特種電纜，
從而簡化了連接并降低了電纜成本CP-XA40DT-D怎么安裝。cmos-ram單元：電容器備份。
UM：7K字；
DM：K字。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲(chǔ)器盒。
要將程序?qū)懭隕PROM，請(qǐng)使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。
在EPROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)。
若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)。程序容量：3.2K字。
R-232端口：無。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(DM)：6K字。
擴(kuò)展數(shù)據(jù)內(nèi)存(EM)：6K字×3（8
多點(diǎn)IO(組2)可裝載臺(tái)數(shù)：6臺(tái)(單元占用單元)CP-XA40DT-D怎么安裝。
多點(diǎn)IO(組2)可裝載臺(tái)數(shù)：8臺(tái)(2單元占用單元)。
總線IO的可裝載臺(tái)數(shù)：6臺(tái)(單元占用單元)。
提高可靠性，強(qiáng)化功能走向新一代。
由于生產(chǎn)現(xiàn)場愈加復(fù)雜化、高速化，用戶的需求亦日趨多樣化。
為此，須提高C200GC200EC200X的基本性能，提高處理速度等。
生產(chǎn)現(xiàn)場要求產(chǎn)品上的、高標(biāo)準(zhǔn)，不斷升級(jí)換代！
創(chuàng)對(duì)當(dāng)代制造業(yè)的嚴(yán)格要求激勵(lì)著歐姆龍，
始終以新的產(chǎn)品及科學(xué)觀念投身生產(chǎn)現(xiàn)場。適用的系統(tǒng)：雙CPU單IO擴(kuò)展系統(tǒng)。
電源單元數(shù)量：多2個(gè)單元（對(duì)于雙機(jī)操作）。
IO單元數(shù)量：多5個(gè)單元。
無法安裝C200系列單元。點(diǎn)數(shù)：4點(diǎn)。
信號(hào)范圍選擇：4點(diǎn)共通。
信號(hào)范圍：鉑電阻：Pt00（JI、IEC）、JPt00。
轉(zhuǎn)換速度：250ms4點(diǎn)。
綜合精度：精度正負(fù)0.3% of PV與正負(fù)0.8℃中的較大值正負(fù)位以下。
各功能：測定值 報(bào)警（、 L）測定值 報(bào)警DO輸出輸入斷線報(bào)警。
外部連接：可卸端子塊。
單個(gè)單元，其處理所有類型的輸入，
例如溫度傳感器輸入和模擬量信號(hào)輸入（例如4～20mA或～5V）。
一個(gè)單元支持四個(gè)輸入通道，
每個(gè)通道可以設(shè)定為鉑電阻、熱電偶和DC信號(hào)（電流、電壓）。
所有輸入均緣。
在一個(gè)單元中多支持四種輸入：鉑電阻、熱電偶和DC電流電壓。
輸入通道之間的緣阻止輸入通道之間不需要的電流通路。
輸入電壓電流，將定標(biāo)值以四位十六進(jìn)制數(shù)形形式傳輸?shù)紺PU單元CP-XA40DT-D操作手冊(cè)。
過程值報(bào)警，每個(gè)輸入有兩個(gè)報(bào)警。
報(bào)警ONN計(jì)時(shí)器以及過程值的磁滯CP-XA40DT-D操作手冊(cè)。
操作期間零跨度調(diào)整功能。
輸入錯(cuò)誤檢測。
檢測到輸入錯(cuò)誤時(shí)可以大或小過程值。
具有完全多重輸入、高速和高分辨率（分辨率256,000，60msch可用）的單元。